上智大学 岸野研究室

上智大学 岸野研究室 研究室の研究内容,業績,行事などの紹介

13/11/2017

上智大学では,ソフィアオープンリサーチウイークの一環として,これまでにさまざまな公開シンポジウムを企画してきましたが,今年はナノテクノロジー研究センターの主催で,下記の通りシンポジウムおよび意見交換会を開催します.

ご都合によってご参加いただき,ご討論いただければ幸甚です.

なお,当日は祝日ですが,上智大学は授業実施日に当たり,学内も通常の雰囲気を味わっていただけることと存じます.

準備の関係もあるため,参加を希望の方はお手数ですが,岸野研究室秘書
Email: [email protected]
電話:03-3238-3325
へご連絡いただきますようお願いいたします.
問い合わせに関しても上記にお願いいたします.



ソフィア公開シンポジウム 「窒化物ナノ結晶デバイスの新展開」

日時 2017年11月23日(木・祝)

研究会:13:00-17:00
意見交換会:17:30-19:00

【 研究会プログラム】
場所 上智大学中央図書館 L-821号室 

1:00   開場
1:15-2:00 岸野克巳(上智大)  ナノコラム発光デバイス新展開と将来展望
2:00-2:30 岡本晃一 (九州大) [招待講演] プラズモニクスが拓く発光デバイス新展開
2:30-2:50 大音隆男(山形大) InGaN/GaNナノコラム成長制御とプラズモニクス
2:50-3:10 関口 寛人(豊橋技大) 希土類ドープナノコラムによる赤色デバイス

3:10-3:40 休憩

3:40-4:00 菊池 昭彦(上智大) 水素雰囲気異方性熱エッチングとInGaN系ナノ構造LED
4:00-4:20 猪瀬 裕太(上智大) GaNナノコラムにおけるナノ結晶効果と周期配列効果
4:20-4:40 中岡 俊裕(上智大) 単一光子ナノコラムデバイスとナノコラムレクテナ
4:40-5:00 音 賢一(千葉大) ナノコラムによる二次元電子系周期ポテンシャル変調と量子伝導

【意見交換会・交流会】

5:30-7:00   意見交換会・交流会 (参加費:3,000円)

場所 上智大学13号館303号室

以上

毎年恒例の夏ゼミ合宿@軽井沢上智大学セミナーハウスに行ってきました.岸野研,菊池研,野村研での集合写真です.
24/08/2017

毎年恒例の夏ゼミ合宿@軽井沢上智大学セミナーハウスに行ってきました.岸野研,菊池研,野村研での集合写真です.

国際学会でフランスのストラスブールに来ています。本日で全員の発表が終わったので、岸野先生に予約していただいたレストランでアルザス料理を堪能しました。
26/07/2017

国際学会でフランスのストラスブールに来ています。本日で全員の発表が終わったので、岸野先生に予約していただいたレストランでアルザス料理を堪能しました。

2017年春季応用物理学会のJSAPフォト&イラストコンテストにて,「優秀賞」を受賞しました.大音隆男,本山界,松井祐三,石沢峻介,岸野克巳”愛のナノ結晶”受賞した右下の図は 5 um四方の規則配列GaNナノコラム(ナノワイヤ)の走査型電子...
03/04/2017

2017年春季応用物理学会のJSAPフォト&イラストコンテストにて,「優秀賞」を受賞しました.

大音隆男,本山界,松井祐三,石沢峻介,岸野克巳
”愛のナノ結晶”

受賞した右下の図は 5 um四方の規則配列GaNナノコラム(ナノワイヤ)の走査型電子顕微鏡(SEM)像(未加工)です.3つ組クラスタ配列GaNナノコラム [松井,岸野他,第 77 回応用物理学会秋季学術講演会,16p-A21-2 (2016).] を成長しようとしたところ,250 nm程度の大きさの“ハート形”に結合したナノ結晶が自発的に作製されました .

23/03/2017

Applied Physics Expressに論文が掲載され,"Spotlights"に選ばれました.
http://iopscience.iop.org/article/10.7567/APEX.10.045001

T. Oto, Y. Mizuno, A. Yanagihara, K. Ema, and K. Kishino
"Effect of structural properties on optical characteristics of InGaN/GaN nanocolumns fabricated by selective-area growth"
Appl. Phys. Express 10, 045001 (2017).

The Japan Society of Applied Physics (JSAP) serves as an academic interface between science and engineering and an interactive platform for academia and the industry. JSAP is a "conduit" for the transfer of fundamental concepts to the industry for development and technological applications.

10/03/2017

第64回応用物理学会春季学術講演会(パシフィコ横浜,3/14-17)にて,4件の口頭発表および1件のフォト&イラストコンテストの発表(第1著者が岸野研究室の発表)を予定しています.

[14a-503-8] 誘電体多層膜ミラーを用いたナノコラム共振器の作製
〇福田 正志1、今野 裕太1、鈴木 拓良1、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

[16p-503-5] 規則配列GaNナノコラムの電気特性におけるフェルミピニングの影響
〇中川 洋平1、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

[16p-503-6] GaNナノコラム上InGaN/GaN単一量子井戸の構造・光学特性
〇大音 隆男1、水野 祐太郎1、吉田 純1、柳原 藍1、宮川 倫1、江馬 一弘1,2、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

[16p-503-7] 表面プラズモンを用いた規則配列InGaNナノコラムの発光増強
〇菊地 主馬1、大音 隆男1、岡本 晃一3、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク、3.九大先導研)

[フォト&イラストコンテスト] 愛のナノ結晶
大音 隆男,本山 界,松井 祐三,石沢 峻介,岸野 克巳

15/02/2017

The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (Oct. 8-12, Banff, Alberta, Canada)にて,岸野教授が招待講演を行います.
http://ece.umich.edu/issled2017/

It is our great pleasure to invite you to participate in the 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017). This event will be held in the Banff Centre, Banff, Canada, from the 8th to 12th of Oct. 2017.

07/02/2017

Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices (Mar. 5-8, Mallorca, Spain)において,岸野教授が招待講演を行います.
"Recent development of InGaN/GaN nanocolumn technology"

21/12/2016

上智大学の海外向け英文広報誌"SOPHIA magazine"の最新号で,岸野克巳教授のインタビューが掲載されました.

http://www.sophia.ac.jp/static/sophiamagazine/2016winter/ =11

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16/11/2016

AIP Advancesに論文が掲載されました.
open accessですので,誰でもご覧になれます.
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/adva/6/11/10.1063/1.4968176

T. Oto, Y. Mizuno, A. Yanagihara, R. Miyagawa, T. Kano, J. Yoshida, N. Sakakibara, and K. Kishino
"Influence of GaN column diameter on structural properties for InGaN nanocolumns grown on top of GaN nanocolumns"
AIP Advances 6, 115214 (2016).

The influence of GaN column diameter D GaN on structural properties was systematically investigated for InGaN nanocolumns (NCs) grown on top of GaN NCs. We demonstrated a large critical layer thickness of above 400 nm for In0.3Ga0.7N/GaN NCs. The structural properties were changed at the boundary of...

フロリダオーランドで開催されている窒化物半導体の国際学会(IWN2016)に参加しています。今朝で全員の発表が終わりました!写真はバンケットで撮った集合写真です。
06/10/2016

フロリダオーランドで開催されている窒化物半導体の国際学会(IWN2016)に参加しています。今朝で全員の発表が終わりました!

写真はバンケットで撮った集合写真です。

住所

上智大学8号館 8/301
Chiyoda-ku, Tokyo
102-8554

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