Fraunhofer IAF
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Auf der Basis von III/V-Halbleitern entwickelt das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF elektronische und optoelektronische Bauelemente.
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Tullastraße 72
Freiburg Im Breisgau
79108
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Hochfrequenz-Schaltungen für die Kommunikationstechnik, robuste Spannungswandler aus Galliumnitrid für mehr Energieeffizienz, Infrarot- und UV-Detektoren, Halbleiterlaser zur Gefahrstoffdetektion oder Sensoren für die Gas- und Flüssigkeitsanalytik – dies ist nur eine Auswahl an Entwicklungen, mit denen das Fraunhofer IAF die Forschung und Entwicklung innovativer Halbleitertechnologien vorantreibt.
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Das Fraunhofer IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf dem Gebiet der III/V-Halbleiter. Auf der Basis von III/V-Halbleitern entwickeln wir elektronische und optoelektronische Bauelemente für eine Vielzahl von Anwendungen. Als eine der führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf diesem Gebiet decken wir die gesamte Wertschöpfungskette ab: unsere Kernkompetenzen reichen von der Materialforschung über Entwurf, Technologie und Schaltungen bis hin zu Modulen und Systemen. Unsere Technologien werden in Bereichen wie Sicherheit, Energie, Kommunikation, Gesundheit und Mobilität eingesetzt.