06/10/2021
🧠 В мире продемонстрирована работа гибкой электрической фазовой памяти*
При этом устройство не потребляет большого количества энергии. Комментирует кандидат технических наук, старший научный сотрудник Института перспективных материалов и технологий Пётр Лазаренко:
«Поиск новых областей применения халькогенидных материалов фазовой памяти для создания различных многоуровневых энергонезависимых устройств является быстроразвивающимся направлением современной науки и техники. Кроме изготовления и успешной коммерческой реализации устройств электрической фазовой памяти (PRAM, PCM) такими компаниями, как Intel, ST, Micron, в настоящий момент научными коллективами ведётся разработка и создание прототипов перспективных электрооптических и полностью оптических элементов на основе халькогенидов, в том числе оптических нейроморфных вычислительных систем. Однако до последнего времени данные элементы преимущественно создавались на негибких пластинах (кремний, кварц, сапфир и т.д.). Демонстрация надежной работы ячеек электрической фазовой памяти на основе гибких подложек является несомненным шагом вперёд для данной технологии, в том числе в направлении их применения в носимой электронике.
Следует отметить, что данная работа представляет интерес не только с позиции изготовления гибкой структуры и определения количества циклов переключения (более 10000 циклов после завершения её изгиба), но и с позиции применения в качестве функциональной области сверхрешётки, состоящей из чередующихся слоев GeTe (1нм) и Sb2Te3 (4 нм). Замена традиционно применяемых однородных материалов системы Ge-Sb-Te на сверхрешётку позволило авторам статьи снизить ток переключения на порядок по сравнению со «стандартными» ячейками электрической фазовой памяти, а также добиться снижения влияния дрейфа электрического сопротивления, являющегося в настоящий момент одной из основных причин ограничения надёжности работы PCM устройств. Это в очередной раз подтверждает, что, несмотря на проведение активных исследований в этой области на протяжении последних двадцати лет и создание успешных коммерческих продуктов, многие материаловедческие вопросы до сих пор требуют внимания, а применяемая технология устройств фазовой памяти может быть улучшена».
* https://cen.acs.org/materials/electronic-materials/Flexible-memory-uses-less-power/99/i33
#МИЭТкомментирует #мнения